সেমিসেরার 4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং (HPSI) SiC ডাবল-সাইড পালিশ ওয়েফার সাবস্ট্রেটগুলি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের সঠিক চাহিদা মেটাতে তৈরি করা হয়েছে। এই সাবস্ট্রেটগুলি ব্যতিক্রমী সমতলতা এবং বিশুদ্ধতার সাথে ডিজাইন করা হয়েছে, যা অত্যাধুনিক ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির জন্য একটি সর্বোত্তম প্ল্যাটফর্ম অফার করে।
এই HPSI SiC ওয়েফারগুলি তাদের উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা এবং বৈদ্যুতিক নিরোধক বৈশিষ্ট্য দ্বারা আলাদা করা হয়, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-শক্তি প্রয়োগের জন্য তাদের একটি চমৎকার পছন্দ করে তোলে। ডাবল-সাইড পলিশিং প্রক্রিয়া ন্যূনতম পৃষ্ঠের রুক্ষতা নিশ্চিত করে, যা ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং দীর্ঘায়ু বৃদ্ধির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
Semicera এর SiC ওয়েফারের উচ্চ বিশুদ্ধতা ত্রুটি এবং অমেধ্যকে কমিয়ে দেয়, যার ফলে উচ্চ ফলনের হার এবং ডিভাইসের নির্ভরযোগ্যতা হয়। এই সাবস্ট্রেটগুলি মাইক্রোওয়েভ ডিভাইস, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং LED প্রযুক্তি সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত, যেখানে নির্ভুলতা এবং স্থায়িত্ব অপরিহার্য।
উদ্ভাবন এবং মানের উপর ফোকাস সহ, সেমিসেরা আধুনিক ইলেকট্রনিক্সের কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এমন ওয়েফার তৈরি করতে উন্নত উত্পাদন কৌশল ব্যবহার করে। ডবল-পার্শ্বযুক্ত পলিশিং শুধুমাত্র যান্ত্রিক শক্তি উন্নত করে না বরং অন্যান্য অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলির সাথে আরও ভাল একীকরণের সুবিধা দেয়।
Semicera-এর 4 ইঞ্চি উচ্চ বিশুদ্ধতা সেমি-ইনসুলেটিং HPSI SiC ডাবল-সাইড পলিশড ওয়েফার সাবস্ট্রেটগুলি বেছে নেওয়ার মাধ্যমে, নির্মাতারা উন্নত তাপ ব্যবস্থাপনা এবং বৈদ্যুতিক নিরোধকের সুবিধাগুলি লাভ করতে পারে, আরও দক্ষ এবং শক্তিশালী ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশের পথ তৈরি করে৷ সেমিসেরা তার গুণমান এবং প্রযুক্তিগত অগ্রগতির প্রতিশ্রুতি দিয়ে শিল্পকে নেতৃত্ব দিয়ে চলেছে।
আইটেম | উৎপাদন | গবেষণা | ডামি |
ক্রিস্টাল পরামিতি | |||
পলিটাইপ | 4H | ||
সারফেস ওরিয়েন্টেশন ত্রুটি | <11-20 >4±0.15° | ||
বৈদ্যুতিক পরামিতি | |||
ডোপান্ট | n-টাইপ নাইট্রোজেন | ||
প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.015-0.025ohm·cm | ||
যান্ত্রিক পরামিতি | |||
ব্যাস | 150.0±0.2 মিমি | ||
পুরুত্ব | 350±25 μm | ||
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন | [1-100]±5° | ||
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 47.5±1.5 মিমি | ||
সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট | কোনোটিই নয় | ||
টিটিভি | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
এলটিভি | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
নম | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ওয়ার্প | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
সামনের (সি-ফেস) রুক্ষতা (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
গঠন | |||
মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
ধাতব অমেধ্য | ≤5E10 পরমাণু/cm2 | NA | |
বিপিডি | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
টিএসডি | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
সামনের গুণমান | |||
সামনে | Si | ||
সারফেস ফিনিস | সি-ফেস সিএমপি | ||
কণা | ≤60ea/ওয়েফার (আকার≥0.3μm) | NA | |
আঁচড় | ≤5ea/মিমি। ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য ≤ ব্যাস | ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য≤2*ব্যাস | NA |
কমলার খোসা/পিট/দাগ/দাগ/ফাটল/দূষণ | কোনোটিই নয় | NA | |
এজ চিপস/ইন্ডেন্টস/ফ্র্যাকচার/হেক্স প্লেট | কোনোটিই নয় | ||
পলিটাইপ এলাকা | কোনোটিই নয় | ক্রমবর্ধমান এলাকা≤20% | ক্রমবর্ধমান এলাকা≤30% |
সামনে লেজার চিহ্নিতকরণ | কোনোটিই নয় | ||
ব্যাক কোয়ালিটি | |||
ফিরে শেষ | সি-ফেস সিএমপি | ||
আঁচড় | ≤5ea/মিমি, ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য≤2*ব্যাস | NA | |
পিছনের ত্রুটি (এজ চিপস/ইন্ডেন্ট) | কোনোটিই নয় | ||
পিঠের রুক্ষতা | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
পিছনে লেজার চিহ্নিতকরণ | 1 মিমি (উপরের প্রান্ত থেকে) | ||
প্রান্ত | |||
প্রান্ত | চেম্ফার | ||
প্যাকেজিং | |||
প্যাকেজিং | ভ্যাকুয়াম প্যাকেজিংয়ের সাথে এপি-প্রস্তুত মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং | ||
*দ্রষ্টব্য: "NA" মানে কোন অনুরোধ নেই উল্লেখ করা আইটেমগুলি সেমি-এসটিডি উল্লেখ করতে পারে। |