1. সম্পর্কেসিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার
সিলিকন কার্বাইড (SiC) এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি সাধারণত রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) দ্বারা একটি সাবস্ট্রেট হিসাবে একটি সিলিকন কার্বাইড একক ক্রিস্টাল ওয়েফার ব্যবহার করে একটি ওয়েফারের উপর একটি একক স্ফটিক স্তর জমা করে গঠিত হয়। তাদের মধ্যে, সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটে সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধি করে প্রস্তুত করা হয় এবং আরও উচ্চ-কার্যকারিতা ডিভাইসে তৈরি করা হয়।
2.সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারস্পেসিফিকেশন
আমরা 4, 6, 8 ইঞ্চি N-টাইপ 4H-SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার সরবরাহ করতে পারি। এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারের বড় ব্যান্ডউইথ, উচ্চ স্যাচুরেশন ইলেক্ট্রন ড্রিফ্ট গতি, উচ্চ গতির দ্বি-মাত্রিক ইলেকট্রন গ্যাস এবং উচ্চ ব্রেকডাউন ক্ষেত্রের শক্তি রয়েছে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি ডিভাইসটিকে উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ, উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ, দ্রুত স্যুইচিং গতি, কম অন-প্রতিরোধ, ছোট আকার এবং হালকা ওজন করে।
3. SiC এপিটাক্সিয়াল অ্যাপ্লিকেশন
SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারপ্রধানত Schottky ডায়োড (SBD), মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET) জংশন ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (JFET), বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (BJT), থাইরিস্টর (SCR), ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBT), যা ব্যবহৃত হয়। নিম্ন-ভোল্টেজ, মাঝারি-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-ভোল্টেজ ক্ষেত্রে। বর্তমানে,SiC এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারউচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিশ্বব্যাপী গবেষণা ও উন্নয়ন পর্যায়ে রয়েছে।
