অ্যাটমিক লেয়ার ডিপোজিশন (ALD) হল একটি রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন প্রযুক্তি যা পর্যায়ক্রমে দুই বা ততোধিক অগ্রদূত অণুকে ইনজেকশনের মাধ্যমে পাতলা ফিল্ম স্তরকে স্তরে স্তরে বৃদ্ধি করে। ALD এর উচ্চ নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা এবং অভিন্নতার সুবিধা রয়েছে এবং সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস, শক্তি স্টোরেজ ডিভাইস এবং অন্যান্য ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহার করা যেতে পারে। ALD-এর মূল নীতিগুলির মধ্যে রয়েছে পূর্ববর্তী শোষণ, পৃষ্ঠের প্রতিক্রিয়া এবং উপ-পণ্য অপসারণ, এবং একটি চক্রে এই ধাপগুলি পুনরাবৃত্তি করে বহু-স্তর উপাদান তৈরি করা যেতে পারে। ALD এর উচ্চ নিয়ন্ত্রনযোগ্যতা, অভিন্নতা এবং অ-ছিদ্রযুক্ত কাঠামোর বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা রয়েছে এবং এটি বিভিন্ন স্তরের উপাদান এবং বিভিন্ন উপকরণ জমা করার জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে।
ALD এর নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা রয়েছে:
1. উচ্চ নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা:যেহেতু ALD একটি স্তর-দ্বারা-স্তর বৃদ্ধি প্রক্রিয়া, তাই উপাদানের প্রতিটি স্তরের পুরুত্ব এবং গঠন সুনির্দিষ্টভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে।
2. অভিন্নতা:ALD অন্যান্য জমা প্রযুক্তিতে ঘটতে পারে এমন অসমতা এড়িয়ে, সমগ্র সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠে সমানভাবে উপকরণ জমা করতে পারে।
3. অ ছিদ্রযুক্ত গঠন:যেহেতু ALD একক পরমাণু বা একক অণুর এককগুলিতে জমা হয়, ফলে ফিল্মের সাধারণত একটি ঘন, অ-ছিদ্রযুক্ত কাঠামো থাকে।
4. ভাল কভারেজ কর্মক্ষমতা:ALD কার্যকরভাবে উচ্চ আকৃতির অনুপাতের কাঠামোকে কভার করতে পারে, যেমন ন্যানোপোর অ্যারে, উচ্চ ছিদ্রযুক্ত পদার্থ ইত্যাদি।
5. মাপযোগ্যতা:ALD ধাতু, সেমিকন্ডাক্টর, কাচ ইত্যাদি সহ বিভিন্ন সাবস্ট্রেট উপকরণের জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে।
6. বহুমুখিতা:বিভিন্ন পূর্বসূরি অণু নির্বাচন করে, বিভিন্ন ধরণের বিভিন্ন পদার্থকে ALD প্রক্রিয়ায় জমা করা যেতে পারে, যেমন ধাতব অক্সাইড, সালফাইড, নাইট্রাইড ইত্যাদি।
