CVD SiC আবরণ

সিলিকন কার্বাইড আবরণ ভূমিকা 

আমাদের রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ একটি অত্যন্ত টেকসই এবং পরিধান-প্রতিরোধী স্তর, উচ্চ ক্ষয় এবং তাপ প্রতিরোধের দাবি করা পরিবেশের জন্য আদর্শ।সিলিকন কার্বাইড আবরণCVD প্রক্রিয়ার মাধ্যমে বিভিন্ন সাবস্ট্রেটে পাতলা স্তরে প্রয়োগ করা হয়, উচ্চতর কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য প্রদান করে।

মূল বৈশিষ্ট্য

       ●-অসাধারণ বিশুদ্ধতা: একটি অতি বিশুদ্ধ রচনা গর্ব99.99995%, আমাদেরSiC আবরণসংবেদনশীল সেমিকন্ডাক্টর অপারেশনে দূষণের ঝুঁকি কমিয়ে দেয়।

● -সুপিরিয়র রেজিস্ট্যান্স: পরিধান এবং ক্ষয় উভয়ের জন্য চমৎকার প্রতিরোধের প্রদর্শন করে, এটিকে চ্যালেঞ্জিং রাসায়নিক এবং প্লাজমা সেটিংসের জন্য নিখুঁত করে তোলে।
● -উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: এর অসামান্য তাপীয় বৈশিষ্ট্যের কারণে চরম তাপমাত্রার অধীনে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
●-মাত্রিক স্থিতিশীলতা: তাপমাত্রার বিস্তৃত পরিসরে কাঠামোগত অখণ্ডতা বজায় রাখে, এর কম তাপীয় প্রসারণ সহগকে ধন্যবাদ।
● -বর্ধিত কঠোরতা: একটি কঠোরতা রেটিং সঙ্গে40 জিপিএ, আমাদের SiC আবরণ উল্লেখযোগ্য প্রভাব এবং ঘর্ষণ সহ্য করে।
● -মসৃণ পৃষ্ঠ সমাপ্তি: একটি আয়নার মত ফিনিস প্রদান করে, কণা জেনারেশন কমায় এবং অপারেশনাল দক্ষতা বাড়ায়।

অ্যাপ্লিকেশন

সেমিসেরা SiC আবরণসেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের বিভিন্ন পর্যায়ে ব্যবহার করা হয়, যার মধ্যে রয়েছে:

● -LED চিপ ফ্যাব্রিকেশন
● -পলিসিলিকন উৎপাদন
● -সেমিকন্ডাক্টর ক্রিস্টাল বৃদ্ধি
● -সিলিকন এবং SiC এপিটাক্সি
● -থার্মাল অক্সিডেশন এবং ডিফিউশন (TO&D)

আমরা উচ্চ-শক্তির আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট, কার্বন ফাইবার-রিইনফোর্সড কার্বন এবং 4N রিক্রিস্টালাইজড সিলিকন কার্বাইড থেকে তৈরি SiC-কোটেড উপাদান সরবরাহ করি, যা তরলযুক্ত-বেড রিঅ্যাক্টরের জন্য তৈরি,STC-TCS রূপান্তরকারী, CZ ইউনিট প্রতিফলক, SiC ওয়েফার বোট, SiCwafer প্যাডেল, SiC ওয়েফার টিউব, এবং PECVD, সিলিকন এপিটাক্সি, MOCVD প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহৃত ওয়েফার ক্যারিয়ার.

সুবিধা

● -বর্ধিত জীবনকাল: উল্লেখযোগ্যভাবে সরঞ্জাম ডাউনটাইম এবং রক্ষণাবেক্ষণ খরচ কমায়, সামগ্রিক উত্পাদন দক্ষতা বৃদ্ধি.
●-উন্নত গুণমান: অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণের জন্য প্রয়োজনীয় উচ্চ-বিশুদ্ধতা সারফেস অর্জন করে, এইভাবে পণ্যের গুণমান বৃদ্ধি করে।
●-দক্ষতা বৃদ্ধি: তাপীয় এবং সিভিডি প্রক্রিয়াগুলিকে অপ্টিমাইজ করে, যার ফলে চক্রের সময় কম হয় এবং উচ্চ ফলন হয়৷

প্রযুক্তিগত বিশেষ উল্লেখ     

●-গঠন: FCC β ফেজ পলিক্রিস্টালাইন, প্রধানত (111) ভিত্তিক
●-ঘনত্ব: 3.21 গ্রাম/সেমি³
●-কঠোরতা: 2500 ভিকেস কঠোরতা (500 গ্রাম লোড)
●-ফ্র্যাকচার শক্ততা: 3.0 MPa·m^1/2
●-তাপীয় সম্প্রসারণ সহগ (100–600 °C): 4.3 x 10^-6k^-1
● -ইলাস্টিক মডুলাস(1300℃):435 জিপিএ
● -সাধারণ ফিল্ম পুরুত্ব:100 µm
● -সারফেস রুক্ষতা:2-10 µm

বিশুদ্ধতা ডেটা (গ্লো ডিসচার্জ মাস স্পেকট্রোস্কোপি দ্বারা পরিমাপ করা হয়)