আমাদের কোম্পানি প্রদান করেSiC আবরণCVD পদ্ধতিতে গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অন্যান্য উপকরণের পৃষ্ঠে প্রক্রিয়াকরণ পরিষেবা, যাতে কার্বন এবং সিলিকন ধারণকারী বিশেষ গ্যাসগুলি উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিক অণুগুলি পেতে উচ্চ তাপমাত্রায় প্রতিক্রিয়া করতে পারে, যা প্রলিপ্ত পদার্থের পৃষ্ঠে জমা হতে পারেSiC প্রতিরক্ষামূলক স্তরব্যারেল টাইপ হাই pnotic জন্য.
প্রধান বৈশিষ্ট্য:
1. উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট
2. উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের এবং তাপ অভিন্নতা
3. ফাইনSiC স্ফটিক প্রলিপ্তএকটি মসৃণ পৃষ্ঠের জন্য
4. রাসায়নিক পরিষ্কারের বিরুদ্ধে উচ্চ স্থায়িত্ব
![ইন্ডাকটিভলি হিটেড এপিটাক্সি (এলপিই) রিঅ্যাক্টর সিস্টেম](http://cdn.globalso.com/semi-cera/SiC-Coated-Barrel-5.png)
এর প্রধান স্পেসিফিকেশনসিভিডি-এসআইসি আবরণ
SiC-CVD বৈশিষ্ট্য | ||
ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার | FCC β ফেজ | |
ঘনত্ব | g/cm ³ | 3.21 |
কঠোরতা | ভিকারস কঠোরতা | 2500 |
শস্য আকার | μm | 2~10 |
রাসায়নিক বিশুদ্ধতা | % | 99.99995 |
তাপ ক্ষমতা | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
পরমানন্দ তাপমাত্রা | ℃ | 2700 |
ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ | MPa (RT 4-পয়েন্ট) | 415 |
ইয়ং এর মডুলাস | Gpa (4pt বাঁক, 1300℃) | 430 |
তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
তাপ পরিবাহিতা | (W/mK) | 300 |
![2--সিভিডি-সিক-বিশুদ্ধতা---99-99995-_60366](http://cdn.globalso.com/semi-cera/2-cvd-sic-purity-99-99995-_60366.jpg)
![5----sic-ক্রিস্টাল_242127](http://cdn.globalso.com/semi-cera/5-sic-crystal_242127.jpg)
![সেমিসের কাজের জায়গা](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place2.jpg)
![সেমিসের কর্মস্থল 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-22.jpg)
![সরঞ্জাম মেশিন](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
![সিএনএন প্রক্রিয়াকরণ, রাসায়নিক পরিষ্কার, সিভিডি আবরণ](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating2.jpg)
![আমাদের সেবা](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service3.jpg)