-
SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধিতে বীজ ক্রিস্টাল প্রস্তুতির প্রক্রিয়া (পর্ব 2)
2. পরীক্ষামূলক প্রক্রিয়া 2.1 আঠালো ফিল্মের নিরাময়এটি দেখা গেছে যে সরাসরি কার্বন ফিল্ম তৈরি করা বা আঠালো দিয়ে লেপা SiC ওয়েফারগুলিতে গ্রাফাইট কাগজের সাথে বন্ধন বেশ কয়েকটি সমস্যার দিকে পরিচালিত করে: 1. ভ্যাকুয়াম অবস্থার অধীনে, SiC ওয়েফারগুলিতে আঠালো ফিল্ম একটি আকারের মতো চেহারা তৈরি করে স্বাক্ষর করতে...আরও পড়ুন -
SiC একক ক্রিস্টাল বৃদ্ধিতে বীজ ক্রিস্টাল প্রস্তুতির প্রক্রিয়া
সিলিকন কার্বাইড (SiC) উপাদানের একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ সমালোচনামূলক ব্রেকডাউন ক্ষেত্রের শক্তি এবং উচ্চ স্যাচুরেটেড ইলেক্ট্রন ড্রিফ্ট বেগের সুবিধা রয়েছে, যা এটিকে সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন ক্ষেত্রে অত্যন্ত প্রতিশ্রুতিশীল করে তোলে। SiC একক স্ফটিক সাধারণত এর মাধ্যমে উত্পাদিত হয়...আরও পড়ুন -
ওয়েফার পলিশিং পদ্ধতি কি কি?
একটি চিপ তৈরির সাথে জড়িত সমস্ত প্রক্রিয়ার মধ্যে, ওয়েফারের চূড়ান্ত ভাগ্য হল পৃথক ডাইয়ে কেটে ছোট, আবদ্ধ বাক্সে প্যাকেজ করা এবং মাত্র কয়েকটি পিন উন্মুক্ত করা। চিপটির থ্রেশহোল্ড, রেজিস্ট্যান্স, কারেন্ট এবং ভোল্টেজ মানের উপর ভিত্তি করে মূল্যায়ন করা হবে, কিন্তু কেউ বিবেচনা করবে না...আরও পড়ুন -
এসআইসি এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ প্রক্রিয়ার প্রাথমিক ভূমিকা
এপিটাক্সিয়াল স্তর হল একটি নির্দিষ্ট একক ক্রিস্টাল ফিল্ম যা এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার মাধ্যমে ওয়েফারের উপর জন্মায় এবং সাবস্ট্রেট ওয়েফার এবং এপিটাক্সিয়াল ফিল্মকে এপিটাক্সিয়াল ওয়েফার বলা হয়। পরিবাহী সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটে সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধি করে, সিলিকন কার্বাইড সমজাতীয় এপিটাক্সিয়াল...আরও পড়ুন -
সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং প্রক্রিয়ার মান নিয়ন্ত্রণের মূল পয়েন্ট
সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং প্রক্রিয়ায় গুণমান নিয়ন্ত্রণের মূল বিষয়গুলি বর্তমানে, সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিংয়ের প্রক্রিয়া প্রযুক্তি উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত এবং অপ্টিমাইজ করা হয়েছে। যাইহোক, সামগ্রিক দৃষ্টিকোণ থেকে, সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিংয়ের প্রক্রিয়া এবং পদ্ধতিগুলি এখনও সবচেয়ে নিখুঁতভাবে পৌঁছেনি ...আরও পড়ুন -
সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং প্রক্রিয়ার চ্যালেঞ্জ
সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিংয়ের বর্তমান কৌশলগুলি ধীরে ধীরে উন্নতি করছে, তবে সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিংয়ে স্বয়ংক্রিয় সরঞ্জাম এবং প্রযুক্তিগুলি যে পরিমাণে গৃহীত হয় তা সরাসরি প্রত্যাশিত ফলাফলের উপলব্ধি নির্ধারণ করে। বিদ্যমান সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং প্রক্রিয়াগুলি এখনও ভোগে...আরও পড়ুন -
সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং প্রক্রিয়ার গবেষণা ও বিশ্লেষণ
সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ার সংক্ষিপ্ত বিবরণঅর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়ার মধ্যে প্রাথমিকভাবে বিভিন্ন অঞ্চলের মধ্যে চিপস এবং অন্যান্য উপাদানগুলি যেমন সাবস্ট্রেট এবং ফ্রেমের মধ্যে সম্পূর্ণরূপে সংযোগ করতে মাইক্রোফ্যাব্রিকেশন এবং ফিল্ম প্রযুক্তি প্রয়োগ করা জড়িত। এটি একটি সহ সীসা টার্মিনাল এবং এনক্যাপসুলেশন নিষ্কাশনের সুবিধা দেয়...আরও পড়ুন -
সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে নতুন প্রবণতা: প্রতিরক্ষামূলক আবরণ প্রযুক্তির প্রয়োগ
সেমিকন্ডাক্টর শিল্প বিশেষ করে সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের ক্ষেত্রে অভূতপূর্ব বৃদ্ধির সাক্ষী হচ্ছে। বৈদ্যুতিক যানবাহনে SiC ডিভাইসের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে অনেক বড় মাপের ওয়েফার ফ্যাব নির্মাণ বা সম্প্রসারণ চলছে, এই...আরও পড়ুন -
SiC সাবস্ট্রেটগুলির প্রক্রিয়াকরণের প্রধান পদক্ষেপগুলি কী কী?
কিভাবে আমরা SiC সাবস্ট্রেটের জন্য উত্পাদন-প্রক্রিয়াকরণের ধাপগুলি নিম্নরূপ: 1. ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন: ক্রিস্টাল ইঙ্গটকে অভিমুখী করতে এক্স-রে ডিফ্র্যাকশন ব্যবহার করে। যখন একটি এক্স-রে মরীচি পছন্দসই স্ফটিক মুখের দিকে নির্দেশিত হয়, তখন বিচ্ছুরিত বিমের কোণটি স্ফটিক অভিযোজন নির্ধারণ করে...আরও পড়ুন -
একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান যা একক স্ফটিক সিলিকন বৃদ্ধির গুণমান নির্ধারণ করে - তাপীয় ক্ষেত্র
একক ক্রিস্টাল সিলিকনের বৃদ্ধির প্রক্রিয়া সম্পূর্ণরূপে তাপ ক্ষেত্রে সম্পাদিত হয়। একটি ভাল তাপীয় ক্ষেত্র স্ফটিক গুণমান উন্নত করার জন্য সহায়ক এবং উচ্চ স্ফটিককরণ দক্ষতা রয়েছে। তাপ ক্ষেত্রের নকশা মূলত পরিবর্তন এবং পরিবর্তনগুলি নির্ধারণ করে...আরও পড়ুন -
এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি কি?
এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ হল এমন একটি প্রযুক্তি যা একটি একক স্ফটিক স্তরকে একটি একক স্ফটিক স্তরে (সাবস্ট্রেট) সাবস্ট্রেটের মতো একই স্ফটিক অভিযোজন সহ বৃদ্ধি করে, যেন মূল স্ফটিকটি বাইরের দিকে প্রসারিত হয়েছে। এই সদ্য উত্থিত একক স্ফটিক স্তরটি গ এর পরিপ্রেক্ষিতে সাবস্ট্রেট থেকে আলাদা হতে পারে...আরও পড়ুন -
সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সির মধ্যে পার্থক্য কী?
ওয়েফার প্রস্তুতির প্রক্রিয়ায়, দুটি মূল লিঙ্ক রয়েছে: একটি হল সাবস্ট্রেটের প্রস্তুতি, এবং অন্যটি হল এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার বাস্তবায়ন। সাবস্ট্রেট, সেমিকন্ডাক্টর একক ক্রিস্টাল উপাদান থেকে সাবধানে তৈরি একটি ওয়েফার, সরাসরি ওয়েফার উত্পাদনে রাখা যেতে পারে ...আরও পড়ুন