সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার উত্পাদন প্রক্রিয়া

সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারকাঁচামাল হিসাবে উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা কার্বন পাউডার দিয়ে তৈরি, এবং সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল ভৌত বাষ্প স্থানান্তর পদ্ধতি (PVT) দ্বারা উত্থিত হয় এবং প্রক্রিয়াজাত করা হয়সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার.

① কাঁচামাল সংশ্লেষণ। উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা কার্বন পাউডার একটি নির্দিষ্ট অনুপাত অনুযায়ী মিশ্রিত করা হয়েছিল, এবং সিলিকন কার্বাইড কণাগুলি 2,000 ℃ এর উপরে উচ্চ তাপমাত্রায় সংশ্লেষিত হয়েছিল। চূর্ণ, পরিষ্কার এবং অন্যান্য প্রক্রিয়ার পরে, উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড পাউডার কাঁচামাল যা স্ফটিক বৃদ্ধির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে প্রস্তুত করা হয়।

② স্ফটিক বৃদ্ধি। কাঁচামাল হিসাবে উচ্চ বিশুদ্ধতা SIC পাউডার ব্যবহার করে, স্ব-উন্নত ক্রিস্টাল গ্রোথ ফার্নেস ব্যবহার করে ভৌত বাষ্প স্থানান্তর (PVT) পদ্ধতিতে ক্রিস্টাল জন্মানো হয়েছিল।

③ ইনগট প্রসেসিং। প্রাপ্ত সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল ইঙ্গটটি এক্স-রে সিঙ্গেল ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেটর দ্বারা নির্দেশিত হয়েছিল, তারপরে গ্রাউন্ড এবং রোল করা হয়েছিল এবং স্ট্যান্ডার্ড ব্যাসের সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টালে প্রক্রিয়া করা হয়েছিল।

④ ক্রিস্টাল কাটিং। মাল্টি-লাইন কাটার সরঞ্জাম ব্যবহার করে, সিলিকন কার্বাইড স্ফটিকগুলি 1 মিমি এর বেশি পুরুত্বের সাথে পাতলা শীটে কাটা হয়।

⑤ চিপ নাকাল. বিভিন্ন কণা আকারের হীরা গ্রাইন্ডিং তরল দ্বারা ওয়েফারটি পছন্দসই সমতলতা এবং রুক্ষতার জন্য স্থল হয়।

⑥ চিপ পলিশিং। পৃষ্ঠের ক্ষতি ছাড়াই পালিশ করা সিলিকন কার্বাইড যান্ত্রিক পলিশিং এবং রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং দ্বারা প্রাপ্ত হয়েছিল।

⑦ চিপ সনাক্তকরণ। অপটিক্যাল মাইক্রোস্কোপ, এক্স-রে ডিফ্র্যাক্টোমিটার, পারমাণবিক শক্তি মাইক্রোস্কোপ, নন-কন্টাক্ট রেজিসিটিভিটি টেস্টার, সারফেস ফ্ল্যাটনেস টেস্টার, সারফেস ডিফেক্ট কমপ্রিহেনসিভ টেস্টার এবং অন্যান্য যন্ত্র ও যন্ত্রপাতি ব্যবহার করুন যাতে মাইক্রোটিউবুলের ঘনত্ব, স্ফটিক গুণমান, পৃষ্ঠের রুক্ষতা, প্রতিরোধ ক্ষমতা, ওয়ারপেজ, বক্রতা, বেধ পরিবর্তন, পৃষ্ঠের স্ক্র্যাচ এবং সিলিকন কার্বাইডের অন্যান্য পরামিতি ওয়েফার এই অনুসারে, চিপের মানের স্তর নির্ধারণ করা হয়।

⑧ চিপ পরিষ্কার. সিলিকন কার্বাইড পলিশিং শীটটি ক্লিনিং এজেন্ট এবং বিশুদ্ধ জল দিয়ে পরিষ্কার করা হয় পলিশিং শীটের অবশিষ্ট পলিশিং তরল এবং অন্যান্য পৃষ্ঠের ময়লা অপসারণ করার জন্য এবং তারপরে ওয়েফারটি অতি-উচ্চ বিশুদ্ধতা নাইট্রোজেন এবং শুকানোর মেশিন দ্বারা প্রস্ফুটিত হয় এবং শুকিয়ে যায়; ওয়েফারটিকে একটি সুপার-ক্লিন চেম্বারে একটি পরিষ্কার শীট বাক্সে আবদ্ধ করা হয় যাতে একটি ডাউনস্ট্রিম রেডি-টু-ব্যবহারের সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার তৈরি করা হয়।

চিপের আকার যত বড় হবে, অনুরূপ ক্রিস্টাল বৃদ্ধি এবং প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি তত কঠিন হবে এবং ডাউনস্ট্রিম ডিভাইসগুলির উত্পাদন দক্ষতা যত বেশি হবে, ইউনিট খরচ তত কম হবে।