সিলিকন কার্বাইড (SiC)উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত একটি গুরুত্বপূর্ণ ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান। নিম্নলিখিত কিছু মূল পরামিতিসিলিকন কার্বাইড ওয়েফারএবং তাদের বিস্তারিত ব্যাখ্যা:
জালি পরামিতি:
নিশ্চিত করুন যে সাবস্ট্রেটের জালির ধ্রুবক ত্রুটি এবং চাপ কমাতে এপিটাক্সিয়াল স্তরের সাথে মেলে।
উদাহরণস্বরূপ, 4H-SiC এবং 6H-SiC-এর বিভিন্ন জালি ধ্রুবক রয়েছে, যা তাদের এপিটাক্সিয়াল স্তরের গুণমান এবং ডিভাইসের কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে।
স্ট্যাকিং সিকোয়েন্স:
SiC একটি ম্যাক্রো স্কেলে 1:1 অনুপাতে সিলিকন পরমাণু এবং কার্বন পরমাণু দ্বারা গঠিত, কিন্তু পারমাণবিক স্তরগুলির বিন্যাস ক্রম ভিন্ন, যা বিভিন্ন স্ফটিক কাঠামো গঠন করবে।
সাধারণ স্ফটিক ফর্মগুলির মধ্যে রয়েছে 3C-SiC (ঘন কাঠামো), 4H-SiC (ষড়ভুজ কাঠামো), এবং 6H-SiC (ষড়ভুজ কাঠামো), এবং সংশ্লিষ্ট স্ট্যাকিং ক্রমগুলি হল: ABC, ABCB, ABCACB, ইত্যাদি। প্রতিটি স্ফটিক ফর্ম আলাদা আলাদা বৈদ্যুতিন বৈশিষ্ট্য এবং শারীরিক বৈশিষ্ট্য, তাই সঠিক স্ফটিক ফর্ম নির্বাচন নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।
মোহস হার্ডনেস: সাবস্ট্রেটের কঠোরতা নির্ধারণ করে, যা প্রক্রিয়াকরণের সহজতা এবং পরিধান প্রতিরোধকে প্রভাবিত করে।
সিলিকন কার্বাইডের একটি খুব উচ্চ Mohs কঠোরতা আছে, সাধারণত 9-9.5 এর মধ্যে, এটি একটি অত্যন্ত শক্ত উপাদান তৈরি করে যার জন্য উচ্চ পরিধান প্রতিরোধের প্রয়োজন হয়।
ঘনত্ব: সাবস্ট্রেটের যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলিকে প্রভাবিত করে।
উচ্চ ঘনত্ব বলতে সাধারণত ভালো যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা বোঝায়।
তাপ সম্প্রসারণ সহগ: তাপমাত্রা এক ডিগ্রি সেলসিয়াস বৃদ্ধি পেলে মূল দৈর্ঘ্য বা আয়তনের সাপেক্ষে সাবস্ট্রেটের দৈর্ঘ্য বা আয়তনের বৃদ্ধিকে বোঝায়।
তাপমাত্রা পরিবর্তনের অধীনে সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরের মধ্যে ফিট ডিভাইসের তাপীয় স্থিতিশীলতাকে প্রভাবিত করে।
প্রতিসরণ সূচক: অপটিক্যাল অ্যাপ্লিকেশনের জন্য, অপট ইলেক্ট্রনিক ডিভাইসের নকশায় প্রতিসরণ সূচক একটি মূল পরামিতি।
প্রতিসরণ সূচকের পার্থক্য উপাদানের আলোক তরঙ্গের গতি এবং পথকে প্রভাবিত করে।
অস্তরক ধ্রুবক: ডিভাইসের ক্যাপাসিট্যান্স বৈশিষ্ট্যগুলিকে প্রভাবিত করে।
একটি নিম্ন অস্তরক ধ্রুবক পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স কমাতে এবং ডিভাইসের কর্মক্ষমতা উন্নত করতে সাহায্য করে।
তাপ পরিবাহিতা:
উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ, ডিভাইসের শীতল দক্ষতাকে প্রভাবিত করে।
সিলিকন কার্বাইডের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এটিকে উচ্চ-শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত করে তোলে কারণ এটি কার্যকরভাবে তাপকে ডিভাইস থেকে দূরে সঞ্চালন করতে পারে।
ব্যান্ড-গ্যাপ:
একটি অর্ধপরিবাহী পদার্থে ভ্যালেন্স ব্যান্ডের শীর্ষ এবং পরিবাহী ব্যান্ডের নীচের মধ্যে শক্তির পার্থক্য বোঝায়।
ইলেক্ট্রন ট্রানজিশনকে উদ্দীপিত করার জন্য ওয়াইড-গ্যাপ উপকরণগুলির উচ্চ শক্তির প্রয়োজন হয়, যা সিলিকন কার্বাইডকে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-বিকিরণ পরিবেশে ভাল কার্য সম্পাদন করে।
ব্রেক-ডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র:
একটি অর্ধপরিবাহী উপাদান সহ্য করতে পারে এমন সীমা ভোল্টেজ।
সিলিকন কার্বাইডের একটি খুব উচ্চ ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র রয়েছে, যা এটি ভেঙে না গিয়ে অত্যন্ত উচ্চ ভোল্টেজ সহ্য করতে দেয়।
স্যাচুরেশন ড্রিফট বেগ:
একটি অর্ধপরিবাহী উপাদানে একটি নির্দিষ্ট বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র প্রয়োগ করার পরে ক্যারিয়ারগুলি সর্বোচ্চ গড় গতিতে পৌঁছাতে পারে।
যখন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি একটি নির্দিষ্ট স্তরে বৃদ্ধি পায়, তখন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের আরও বর্ধনের সাথে ক্যারিয়ারের বেগ আর বাড়বে না। এই সময়ের বেগকে স্যাচুরেশন ড্রিফট বেগ বলা হয়। SiC এর একটি উচ্চ স্যাচুরেশন ড্রিফট বেগ রয়েছে, যা উচ্চ-গতির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের উপলব্ধির জন্য উপকারী।
এই পরামিতিগুলি একসাথে এর কার্যকারিতা এবং প্রযোজ্যতা নির্ধারণ করেSiC ওয়েফারবিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে, বিশেষ করে উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-তাপমাত্রা পরিবেশে।
পোস্টের সময়: জুলাই-30-2024