-
সেমিকন্ডাক্টর প্যাকেজিং প্রক্রিয়ার গবেষণা ও বিশ্লেষণ
সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ার সংক্ষিপ্ত বিবরণঅর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়ার মধ্যে প্রাথমিকভাবে বিভিন্ন অঞ্চলের মধ্যে চিপস এবং অন্যান্য উপাদানগুলি যেমন সাবস্ট্রেট এবং ফ্রেমের মধ্যে সম্পূর্ণরূপে সংযোগ করতে মাইক্রোফ্যাব্রিকেশন এবং ফিল্ম প্রযুক্তি প্রয়োগ করা জড়িত। এটি একটি সহ সীসা টার্মিনাল এবং এনক্যাপসুলেশন নিষ্কাশনের সুবিধা দেয়...আরও পড়ুন -
সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে নতুন প্রবণতা: প্রতিরক্ষামূলক আবরণ প্রযুক্তির প্রয়োগ
সেমিকন্ডাক্টর শিল্প বিশেষ করে সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের ক্ষেত্রে অভূতপূর্ব বৃদ্ধির সাক্ষী হচ্ছে। বৈদ্যুতিক যানবাহনে SiC ডিভাইসের ক্রমবর্ধমান চাহিদা মেটাতে অনেক বড় মাপের ওয়েফার ফ্যাব নির্মাণ বা সম্প্রসারণ চলছে, এই...আরও পড়ুন -
SiC সাবস্ট্রেটগুলির প্রক্রিয়াকরণের প্রধান পদক্ষেপগুলি কী কী?
কিভাবে আমরা SiC সাবস্ট্রেটের জন্য উত্পাদন-প্রক্রিয়াকরণের ধাপগুলি নিম্নরূপ: 1. ক্রিস্টাল ওরিয়েন্টেশন: ক্রিস্টাল ইঙ্গটকে অভিমুখী করতে এক্স-রে ডিফ্র্যাকশন ব্যবহার করে। যখন একটি এক্স-রে মরীচি পছন্দসই স্ফটিক মুখের দিকে নির্দেশিত হয়, তখন বিচ্ছুরিত বিমের কোণটি স্ফটিক অভিযোজন নির্ধারণ করে...আরও পড়ুন -
একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান যা একক স্ফটিক সিলিকন বৃদ্ধির গুণমান নির্ধারণ করে - তাপীয় ক্ষেত্র
একক ক্রিস্টাল সিলিকনের বৃদ্ধির প্রক্রিয়া সম্পূর্ণরূপে তাপ ক্ষেত্রে সম্পাদিত হয়। একটি ভাল তাপীয় ক্ষেত্র স্ফটিক গুণমান উন্নত করার জন্য সহায়ক এবং উচ্চ স্ফটিককরণ দক্ষতা রয়েছে। তাপ ক্ষেত্রের নকশা মূলত পরিবর্তন এবং পরিবর্তনগুলি নির্ধারণ করে...আরও পড়ুন -
এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি কি?
এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ হল এমন একটি প্রযুক্তি যা একটি একক স্ফটিক স্তরকে একটি একক স্ফটিক স্তরে (সাবস্ট্রেট) সাবস্ট্রেটের মতো একই স্ফটিক অভিযোজন সহ বৃদ্ধি করে, যেন মূল স্ফটিকটি বাইরের দিকে প্রসারিত হয়েছে। এই সদ্য উত্থিত একক স্ফটিক স্তরটি গ এর পরিপ্রেক্ষিতে সাবস্ট্রেট থেকে আলাদা হতে পারে...আরও পড়ুন -
সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সির মধ্যে পার্থক্য কী?
ওয়েফার প্রস্তুতির প্রক্রিয়ায়, দুটি মূল লিঙ্ক রয়েছে: একটি হল সাবস্ট্রেটের প্রস্তুতি, এবং অন্যটি হল এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার বাস্তবায়ন। সাবস্ট্রেট, সেমিকন্ডাক্টর একক ক্রিস্টাল উপাদান থেকে সাবধানে তৈরি একটি ওয়েফার, সরাসরি ওয়েফার উত্পাদনে রাখা যেতে পারে ...আরও পড়ুন -
গ্রাফাইট হিটারের বহুমুখী বৈশিষ্ট্য উন্মোচন করা
গ্রাফাইট হিটারগুলি তাদের ব্যতিক্রমী বৈশিষ্ট্য এবং বহুমুখীতার কারণে বিভিন্ন শিল্প জুড়ে অপরিহার্য সরঞ্জাম হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে। গবেষণাগার থেকে শিল্প সেটিংস পর্যন্ত, এই হিটারগুলি উপাদান সংশ্লেষণ থেকে বিশ্লেষণাত্মক কৌশল পর্যন্ত প্রক্রিয়াগুলিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। এর মধ্যে বিভিন্ন...আরও পড়ুন -
শুকনো এচিং এবং ওয়েট এচিং এর সুবিধা ও অসুবিধার বিস্তারিত ব্যাখ্যা
সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে, একটি সাবস্ট্রেট বা সাবস্ট্রেটের উপর গঠিত একটি পাতলা ফিল্ম প্রক্রিয়াকরণের সময় "এচিং" নামে একটি কৌশল রয়েছে। এচিং প্রযুক্তির বিকাশ 1965 সালে ইন্টেলের প্রতিষ্ঠাতা গর্ডন মুর দ্বারা করা ভবিষ্যদ্বাণীটি উপলব্ধি করতে ভূমিকা পালন করেছে যে "...আরও পড়ুন -
সিলিকন কার্বাইড হিটারের উচ্চ তাপ দক্ষতা এবং নাক্ষত্রিক স্থিতিশীলতা উন্মোচন
সিলিকন কার্বাইড (SiC) হিটারগুলি অর্ধপরিবাহী শিল্পে তাপ ব্যবস্থাপনার অগ্রভাগে রয়েছে। এই নিবন্ধটি এসআইসি হিটারগুলির ব্যতিক্রমী তাপীয় দক্ষতা এবং উল্লেখযোগ্য স্থিতিশীলতা অন্বেষণ করে, সেমিকনে সর্বোত্তম কার্যক্ষমতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করার ক্ষেত্রে তাদের গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকার উপর আলোকপাত করে...আরও পড়ুন -
সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার বোটগুলির উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ কঠোরতার বৈশিষ্ট্যগুলি অন্বেষণ করা
সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার বোটগুলি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, যা উচ্চ-মানের ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির উত্পাদনকে সহজতর করে৷ এই নিবন্ধটি এসআইসি ওয়েফার বোটগুলির উল্লেখযোগ্য বৈশিষ্ট্যগুলিকে অনুসন্ধান করে, তাদের ব্যতিক্রমী শক্তি এবং কঠোরতার উপর ফোকাস করে এবং তাদের লক্ষণগুলিকে হাইলাইট করে...আরও পড়ুন -
ক্রিস্টাল বৃদ্ধিতে সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার বোটগুলির চমৎকার কর্মক্ষমতা
ক্রিস্টাল বৃদ্ধির প্রক্রিয়াগুলি সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশনের কেন্দ্রে থাকে, যেখানে উচ্চ-মানের ওয়েফারের উত্পাদন অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এই প্রক্রিয়াগুলির একটি অবিচ্ছেদ্য উপাদান হল সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার বোট। এসআইসি ওয়েফার বোটগুলি তাদের ব্যতীত শিল্পে উল্লেখযোগ্য স্বীকৃতি অর্জন করেছে...আরও পড়ুন -
একক ক্রিস্টাল ফার্নেস থার্মাল ফিল্ডে গ্রাফাইট হিটারের অসাধারণ তাপ পরিবাহিতা
একক ক্রিস্টাল ফার্নেস প্রযুক্তির ক্ষেত্রে, তাপ ব্যবস্থাপনার দক্ষতা এবং নির্ভুলতা সর্বাধিক গুরুত্বপূর্ণ। উচ্চ-মানের একক স্ফটিক বৃদ্ধিতে সর্বোত্তম তাপমাত্রা অভিন্নতা এবং স্থিতিশীলতা অর্জন করা গুরুত্বপূর্ণ। এই চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করার জন্য, গ্রাফাইট হিটারগুলি একটি উল্লেখযোগ্য হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে ...আরও পড়ুন