CVD বাল্ক সিলিকন কার্বাইড (SiC)
সংক্ষিপ্ত বিবরণ:সিভিডিবাল্ক সিলিকন কার্বাইড (SiC)প্লাজমা এচিং সরঞ্জাম, দ্রুত তাপ প্রক্রিয়াকরণ (RTP) অ্যাপ্লিকেশন এবং অন্যান্য সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলিতে এটি একটি অত্যন্ত চাহিদাযুক্ত উপাদান। এর ব্যতিক্রমী যান্ত্রিক, রাসায়নিক এবং তাপীয় বৈশিষ্ট্যগুলি এটিকে উন্নত প্রযুক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি আদর্শ উপাদান করে তোলে যা উচ্চ নির্ভুলতা এবং স্থায়িত্বের দাবি করে।
সিভিডি বাল্ক এসআইসি-এর আবেদন:সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে বাল্ক SiC অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, বিশেষ করে প্লাজমা এচিং সিস্টেমে, যেখানে ফোকাস রিং, গ্যাস শাওয়ারহেডস, এজ রিং এবং প্ল্যাটেনের মতো উপাদানগুলি SiC-এর অসামান্য জারা প্রতিরোধ এবং তাপ পরিবাহিতা থেকে উপকৃত হয়। পর্যন্ত এর ব্যবহার বিস্তৃতআরটিপিউল্লেখযোগ্য অবনতি ছাড়াই দ্রুত তাপমাত্রার ওঠানামা সহ্য করার জন্য SiC এর ক্ষমতার কারণে সিস্টেমগুলি।
এচিং যন্ত্রপাতি ছাড়াও সিভিডিবাল্ক SiCডিফিউশন ফার্নেস এবং ক্রিস্টাল গ্রোথ প্রসেসগুলিতে সুবিধা হয়, যেখানে উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং কঠোর রাসায়নিক পরিবেশের প্রতিরোধের প্রয়োজন হয়। এই বৈশিষ্ট্যগুলি উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাসের সাথে জড়িত উচ্চ-চাহিদা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য SiC-কে পছন্দের উপাদান করে তোলে, যেমন ক্লোরিন এবং ফ্লোরিনযুক্ত গ্যাসগুলি।
সিভিডি বাল্ক এসআইসি উপাদানগুলির সুবিধা:
•উচ্চ ঘনত্ব:3.2 g/cm³ এর ঘনত্ব সহ,CVD বাল্ক SiCউপাদানগুলি পরিধান এবং যান্ত্রিক প্রভাবের জন্য অত্যন্ত প্রতিরোধী।
•উচ্চতর তাপ পরিবাহিতা:300 W/m·K এর তাপ পরিবাহিতা অফার করে, বাল্ক SiC দক্ষতার সাথে তাপ পরিচালনা করে, এটি চরম তাপ চক্রের সংস্পর্শে আসা উপাদানগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।
•ব্যতিক্রমী রাসায়নিক প্রতিরোধের:ক্লোরিন এবং ফ্লোরিন-ভিত্তিক রাসায়নিক সহ এচিং গ্যাসের সাথে SiC-এর কম প্রতিক্রিয়াশীলতা দীর্ঘস্থায়ী উপাদানের জীবন নিশ্চিত করে।
•সামঞ্জস্যযোগ্য প্রতিরোধ ক্ষমতা: সিভিডি বাল্ক SiC এরপ্রতিরোধ ক্ষমতা 10⁻²–10⁴ Ω-সেমি পরিসরের মধ্যে কাস্টমাইজ করা যেতে পারে, এটি নির্দিষ্ট এচিং এবং সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রয়োজনের সাথে খাপ খাইয়ে নিতে পারে।
•তাপ সম্প্রসারণ সহগ:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) এর তাপীয় প্রসারণ সহগ সহ, CVD বাল্ক SiC তাপীয় শক প্রতিরোধ করে, এমনকি দ্রুত গরম এবং শীতল চক্রের সময়ও মাত্রিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখে।
•প্লাজমাতে স্থায়িত্ব:রক্তরস এবং প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের এক্সপোজার অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়ায় অনিবার্য, কিন্তুCVD বাল্ক SiCক্ষয় এবং অবক্ষয়ের জন্য উচ্চতর প্রতিরোধের প্রস্তাব দেয়, প্রতিস্থাপনের ফ্রিকোয়েন্সি এবং সামগ্রিক রক্ষণাবেক্ষণ খরচ হ্রাস করে।
প্রযুক্তিগত বিশেষ উল্লেখ:
•ব্যাস:305 মিমি এর চেয়ে বেশি
•প্রতিরোধ ক্ষমতা:10⁻²–10⁴ Ω-সেমি এর মধ্যে সামঞ্জস্যযোগ্য
•ঘনত্ব:3.2 গ্রাম/সেমি³
•তাপ পরিবাহিতা:300 W/m·K
•তাপ সম্প্রসারণ সহগ:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
কাস্টমাইজেশন এবং নমনীয়তা:এসেমিসেরা সেমিকন্ডাক্টর, আমরা বুঝতে পারি যে প্রতিটি সেমিকন্ডাক্টর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিভিন্ন নির্দিষ্টকরণের প্রয়োজন হতে পারে। এই কারণেই আমাদের CVD বাল্ক SiC উপাদানগুলি সম্পূর্ণরূপে কাস্টমাইজযোগ্য, সামঞ্জস্যযোগ্য প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং আপনার সরঞ্জামের প্রয়োজন অনুসারে মানানসই মাত্রা সহ। আপনি আপনার প্লাজমা এচিং সিস্টেম অপ্টিমাইজ করছেন বা RTP বা ডিফিউশন প্রক্রিয়ায় টেকসই উপাদান খুঁজছেন, আমাদের CVD বাল্ক SiC অতুলনীয় পারফরম্যান্স প্রদান করে।
