আমাদের কোম্পানি প্রদান করেSiC আবরণCVD পদ্ধতিতে গ্রাফাইট, সিরামিক এবং অন্যান্য উপকরণের পৃষ্ঠে প্রক্রিয়াকরণ পরিষেবা, যাতে কার্বন এবং সিলিকন ধারণকারী বিশেষ গ্যাসগুলি উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিক অণুগুলি পেতে উচ্চ তাপমাত্রায় প্রতিক্রিয়া করতে পারে, যা প্রলিপ্ত পদার্থের পৃষ্ঠে জমা হতে পারেSiC প্রতিরক্ষামূলক স্তরএপিটাক্সি ব্যারেল টাইপ হাই pnotic জন্য.
প্রধান বৈশিষ্ট্য:
1. উচ্চ বিশুদ্ধতা SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট
2. উচ্চতর তাপ প্রতিরোধের এবং তাপ অভিন্নতা
3. ফাইনSiC স্ফটিক প্রলিপ্তএকটি মসৃণ পৃষ্ঠের জন্য
4. রাসায়নিক পরিষ্কারের বিরুদ্ধে উচ্চ স্থায়িত্ব
এর প্রধান স্পেসিফিকেশনসিভিডি-এসআইসি আবরণ
| SiC-CVD বৈশিষ্ট্য | ||
| ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার | FCC β ফেজ | |
| ঘনত্ব | g/cm ³ | 3.21 |
| কঠোরতা | ভিকারস কঠোরতা | 2500 |
| শস্য আকার | μm | 2~10 |
| রাসায়নিক বিশুদ্ধতা | % | 99.99995 |
| তাপ ক্ষমতা | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| পরমানন্দ তাপমাত্রা | ℃ | 2700 |
| ফেলেক্সুরাল স্ট্রেন্থ | MPa (RT 4-পয়েন্ট) | 415 |
| ইয়ং এর মডুলাস | Gpa (4pt বাঁক, 1300℃) | 430 |
| তাপীয় সম্প্রসারণ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| তাপ পরিবাহিতা | (W/mK) | 300 |
