উন্নত ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ সহ SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ টিউব

সংক্ষিপ্ত বর্ণনা:

আবরণ উচ্চ বিশুদ্ধতা, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, এবং রাসায়নিক প্রতিরোধের কার্যকরভাবে পরিধান, ক্ষয় এবং অক্সিডেশন থেকে গ্রাফাইট পৃষ্ঠতল রক্ষা করে. ট্যানটালাম কার্বাইড আবরণ একটি উচ্চ-কর্মক্ষমতা পৃষ্ঠের আবরণ প্রযুক্তি যা উপাদানের পৃষ্ঠে একটি পরিধান-প্রতিরোধী, জারা-প্রতিরোধী প্রতিরক্ষামূলক স্তর গঠন করে উচ্চতর কর্মক্ষমতা বর্ধিত করে।

 


পণ্য বিস্তারিত

পণ্য ট্যাগ

সেমিসেরা সেমিসেরা বিভিন্ন উপাদান এবং বাহকের জন্য বিশেষায়িত ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণ সরবরাহ করে।Semicera Semicera নেতৃস্থানীয় আবরণ প্রক্রিয়া ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণগুলিকে উচ্চ বিশুদ্ধতা, উচ্চ তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ রাসায়নিক সহনশীলতা অর্জন করতে সক্ষম করে, SIC/GAN স্ফটিক এবং EPI স্তরগুলির পণ্যের গুণমান উন্নত করে (গ্রাফাইট প্রলিপ্ত TaC সাসেপ্টর), এবং মূল চুল্লি উপাদানের আয়ু বাড়ানো। ট্যানটালাম কার্বাইড TaC আবরণ ব্যবহার হল প্রান্ত সমস্যা সমাধান এবং ক্রিস্টাল বৃদ্ধির গুণমান উন্নত করা, এবং সেমিসেরা সেমিসেরা যুগান্তকারী সমাধান করেছে ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ প্রযুক্তি (CVD), আন্তর্জাতিক উন্নত স্তরে পৌঁছেছে।

বছরের পর বছর বিকাশের পর, সেমিসেরা এর প্রযুক্তিকে জয় করেছেCVD TaCR&D বিভাগের যৌথ প্রচেষ্টায়। SiC ওয়েফারের বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায় ত্রুটিগুলি ঘটতে সহজ, কিন্তু ব্যবহারের পরেTaC, পার্থক্য উল্লেখযোগ্য. নীচে TaC সহ এবং ছাড়া ওয়েফারগুলির তুলনা করা হয়েছে, সেইসাথে একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য সিমিসেরার অংশগুলি।

微信图片_20240227150045

TaC সহ এবং ছাড়া

微信图片_20240227150053

TaC ব্যবহার করার পর (ডানে)

তাছাড়া সেমিসেরারTaC-প্রলিপ্ত পণ্যতুলনায় একটি দীর্ঘ সেবা জীবন এবং বৃহত্তর উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের প্রদর্শনSiC আবরণ.পরীক্ষাগার পরিমাপ প্রমাণ করেছে যে আমাদেরTaC আবরণবর্ধিত সময়ের জন্য 2300 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত তাপমাত্রায় ধারাবাহিকভাবে পারফর্ম করতে পারে। নীচে আমাদের নমুনার কিছু উদাহরণ দেওয়া হল:

 
0(1)
সেমিসের কাজের জায়গা
সেমিসের কর্মস্থল 2
সরঞ্জাম মেশিন
সেমিসেরা ওয়্যার হাউস
সিএনএন প্রক্রিয়াকরণ, রাসায়নিক পরিষ্কার, সিভিডি আবরণ
আমাদের সেবা

  • পূর্ববর্তী:
  • পরবর্তী: