সেমিসেরা সিলিকন ওয়েফারগুলি মাইক্রোপ্রসেসর থেকে ফটোভোলটাইক কোষ পর্যন্ত বিস্তৃত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির ভিত্তি হিসাবে কাজ করার জন্য যত্ন সহকারে তৈরি করা হয়েছে। এই ওয়েফারগুলি উচ্চ নির্ভুলতা এবং বিশুদ্ধতার সাথে ইঞ্জিনিয়ার করা হয়, যা বিভিন্ন ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সর্বোত্তম কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
উন্নত কৌশল ব্যবহার করে তৈরি, Semicera Silicon Wafers ব্যতিক্রমী সমতলতা এবং অভিন্নতা প্রদর্শন করে, যা সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশনে উচ্চ ফলন অর্জনের জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। নির্ভুলতার এই স্তরটি ত্রুটিগুলি হ্রাস করতে এবং ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির সামগ্রিক দক্ষতা উন্নত করতে সহায়তা করে।
সেমিসেরা সিলিকন ওয়েফারের উচ্চতর গুণমান তাদের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যগুলিতে স্পষ্ট, যা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির বর্ধিত কর্মক্ষমতাতে অবদান রাখে। কম অপরিষ্কার মাত্রা এবং উচ্চ ক্রিস্টাল গুণমান সহ, এই ওয়েফারগুলি উচ্চ-পারফরম্যান্স ইলেকট্রনিক্স বিকাশের জন্য আদর্শ প্ল্যাটফর্ম প্রদান করে।
বিভিন্ন আকার এবং স্পেসিফিকেশনে উপলব্ধ, সেমিসেরা সিলিকন ওয়েফারগুলি কম্পিউটিং, টেলিযোগাযোগ এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সহ বিভিন্ন শিল্পের নির্দিষ্ট চাহিদা পূরণের জন্য তৈরি করা যেতে পারে। বড় আকারের উত্পাদন বা বিশেষ গবেষণার জন্যই হোক না কেন, এই ওয়েফারগুলি নির্ভরযোগ্য ফলাফল প্রদান করে।
সেমিসেরা উচ্চ-মানের সিলিকন ওয়েফার সরবরাহ করে সেমিকন্ডাক্টর শিল্পের বৃদ্ধি এবং উদ্ভাবনকে সমর্থন করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ যা সর্বোচ্চ শিল্পের মান পূরণ করে। নির্ভুলতা এবং নির্ভরযোগ্যতার উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে, সেমিসেরা নির্মাতাদের প্রযুক্তির সীমানা ঠেলে দিতে সক্ষম করে, তাদের পণ্যগুলিকে বাজারের অগ্রভাগে থাকা নিশ্চিত করে।
আইটেম | উৎপাদন | গবেষণা | ডামি |
ক্রিস্টাল পরামিতি | |||
পলিটাইপ | 4H | ||
সারফেস ওরিয়েন্টেশন ত্রুটি | <11-20 >4±0.15° | ||
বৈদ্যুতিক পরামিতি | |||
ডোপান্ট | n-টাইপ নাইট্রোজেন | ||
প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.015-0.025ohm·cm | ||
যান্ত্রিক পরামিতি | |||
ব্যাস | 150.0±0.2 মিমি | ||
পুরুত্ব | 350±25 μm | ||
প্রাথমিক সমতল অভিযোজন | [1-100]±5° | ||
প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য | 47.5±1.5 মিমি | ||
সেকেন্ডারি ফ্ল্যাট | কোনোটিই নয় | ||
টিটিভি | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
এলটিভি | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
নম | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ওয়ার্প | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
সামনের (সি-ফেস) রুক্ষতা (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
গঠন | |||
মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
ধাতব অমেধ্য | ≤5E10 পরমাণু/cm2 | NA | |
বিপিডি | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
টিএসডি | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
সামনের গুণমান | |||
সামনে | Si | ||
সারফেস ফিনিস | সি-ফেস সিএমপি | ||
কণা | ≤60ea/ওয়েফার (আকার≥0.3μm) | NA | |
আঁচড় | ≤5ea/মিমি। ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য ≤ ব্যাস | ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য≤2*ব্যাস | NA |
কমলার খোসা/পিট/দাগ/দাগ/ফাটল/দূষণ | কোনোটিই নয় | NA | |
এজ চিপস/ইন্ডেন্টস/ফ্র্যাকচার/হেক্স প্লেট | কোনোটিই নয় | ||
পলিটাইপ এলাকা | কোনোটিই নয় | ক্রমবর্ধমান এলাকা≤20% | ক্রমবর্ধমান এলাকা≤30% |
সামনে লেজার চিহ্নিতকরণ | কোনোটিই নয় | ||
ব্যাক কোয়ালিটি | |||
ফিরে শেষ | সি-ফেস সিএমপি | ||
আঁচড় | ≤5ea/মিমি, ক্রমবর্ধমান দৈর্ঘ্য≤2*ব্যাস | NA | |
পিছনের ত্রুটি (এজ চিপস/ইন্ডেন্ট) | কোনোটিই নয় | ||
পিঠের রুক্ষতা | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
পিছনে লেজার চিহ্নিতকরণ | 1 মিমি (উপরের প্রান্ত থেকে) | ||
প্রান্ত | |||
প্রান্ত | চেম্ফার | ||
প্যাকেজিং | |||
প্যাকেজিং | ভ্যাকুয়াম প্যাকেজিংয়ের সাথে এপি-প্রস্তুত মাল্টি-ওয়েফার ক্যাসেট প্যাকেজিং | ||
*দ্রষ্টব্য: "NA" মানে কোন অনুরোধ নেই উল্লেখ করা আইটেমগুলি সেমি-এসটিডি উল্লেখ করতে পারে। |