এর মূল উপাদানগুলির মধ্যে একটি হিসাবেMOCVD সরঞ্জাম, গ্রাফাইট বেস হল সাবস্ট্রেটের বাহক এবং হিটিং বডি, যা সরাসরি ফিল্ম উপাদানের অভিন্নতা এবং বিশুদ্ধতা নির্ধারণ করে, তাই এর গুণমান সরাসরি এপিটাক্সিয়াল শীট তৈরিতে প্রভাবিত করে এবং একই সময়ে, সংখ্যা বৃদ্ধির সাথে ব্যবহার এবং কাজের অবস্থার পরিবর্তন, এটি পরিধান করা খুব সহজ, ভোগ্যপণ্যের অন্তর্গত।
যদিও গ্রাফাইটের চমৎকার তাপ পরিবাহিতা এবং স্থিতিশীলতা রয়েছে, তবে এটির একটি বেস উপাদান হিসাবে একটি ভাল সুবিধা রয়েছেMOCVD সরঞ্জাম, কিন্তু উত্পাদন প্রক্রিয়ায়, ক্ষয়কারী গ্যাস এবং ধাতব জৈব পদার্থের অবশিষ্টাংশের কারণে গ্রাফাইট পাউডারকে ক্ষয় করবে এবং গ্রাফাইট বেসের পরিষেবা জীবন ব্যাপকভাবে হ্রাস পাবে।একই সময়ে, পড়ে যাওয়া গ্রাফাইট পাউডার চিপে দূষণ ঘটাবে।
আবরণ প্রযুক্তির উত্থান পৃষ্ঠের পাউডার স্থিরকরণ, তাপ পরিবাহিতা বাড়াতে এবং তাপ বিতরণকে সমান করতে পারে, যা এই সমস্যা সমাধানের প্রধান প্রযুক্তি হয়ে উঠেছে।গ্রাফাইট বেস ইনMOCVD সরঞ্জামপরিবেশ ব্যবহার করুন, গ্রাফাইট বেস পৃষ্ঠ আবরণ নিম্নলিখিত বৈশিষ্ট্য পূরণ করা উচিত:
(1) গ্রাফাইট বেস সম্পূর্ণরূপে মোড়ানো যেতে পারে, এবং ঘনত্ব ভাল, অন্যথায় গ্রাফাইট বেস ক্ষয়কারী গ্যাসে ক্ষয়প্রাপ্ত করা সহজ।
(2) গ্রাফাইট বেসের সাথে সংমিশ্রণ শক্তি উচ্চ হয় তা নিশ্চিত করার জন্য যে আবরণটি বেশ কয়েকটি উচ্চ তাপমাত্রা এবং নিম্ন তাপমাত্রা চক্রের পরে পড়ে যাওয়া সহজ নয়।
(3) উচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী বায়ুমণ্ডলে আবরণ ব্যর্থতা এড়াতে এটির ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা রয়েছে।
SiC এর জারা প্রতিরোধের, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, তাপ শক প্রতিরোধের এবং উচ্চ রাসায়নিক স্থিতিশীলতার সুবিধা রয়েছে এবং এটি GaN এপিটাক্সিয়াল বায়ুমণ্ডলে ভাল কাজ করতে পারে।উপরন্তু, SiC-এর তাপীয় প্রসারণ সহগ গ্রাফাইটের থেকে খুব সামান্যই আলাদা, তাই গ্রাফাইট বেসের পৃষ্ঠের আবরণের জন্য SiC হল পছন্দের উপাদান।
বর্তমানে, সাধারণ SiC প্রধানত 3C, 4H এবং 6H প্রকার, এবং বিভিন্ন স্ফটিক প্রকারের SiC ব্যবহার ভিন্ন।উদাহরণস্বরূপ, 4H-SiC উচ্চ-শক্তি ডিভাইস তৈরি করতে পারে;6H-SiC সবচেয়ে স্থিতিশীল এবং ফটোইলেকট্রিক ডিভাইস তৈরি করতে পারে;GaN এর অনুরূপ গঠনের কারণে, 3C-SiC GaN এপিটাক্সিয়াল স্তর তৈরি করতে এবং SiC-GaN RF ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।3C-SiC নামেও পরিচিতβ-SiC, এবং একটি গুরুত্বপূর্ণ ব্যবহারβ-SiC একটি ফিল্ম এবং আবরণ উপাদান, তাইβ-SiC বর্তমানে আবরণ জন্য প্রধান উপাদান.
পোস্ট সময়: নভেম্বর-06-2023