সিলিকন কার্বাইড (SiC) একক স্ফটিক উপাদানের একটি বড় ব্যান্ড গ্যাপ প্রস্থ (~Si 3 বার), উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (~Si 3.3 বার বা GaAs 10 বার), উচ্চ ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন মাইগ্রেশন রেট (~Si 2.5 গুণ), উচ্চ ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র (~Si 10 বার বা GaAs 5 বার) এবং অন্যান্য অসামান্য বৈশিষ্ট্য।
উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ চাপ, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইস এবং মহাকাশ, সামরিক, পারমাণবিক শক্তি ইত্যাদির মতো চরম পরিবেশগত প্রয়োগের ক্ষেত্রে SiC ডিভাইসগুলির অপরিবর্তনীয় সুবিধা রয়েছে, ব্যবহারিক ক্ষেত্রে ঐতিহ্যবাহী সেমিকন্ডাক্টর উপাদান ডিভাইসগুলির ত্রুটিগুলি পূরণ করে। অ্যাপ্লিকেশন, এবং ধীরে ধীরে শক্তি সেমিকন্ডাক্টর মূলধারা হয়ে উঠছে.
4H-SiC সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট স্পেসিফিকেশন
| আইটেম项目 | স্পেসিফিকেশন参数 | |
| পলিটাইপ | 4H -SiC | 6H- SiC |
| ব্যাস | 2 ইঞ্চি |3 ইঞ্চি |4 ইঞ্চি |6 ইঞ্চি | 2 ইঞ্চি |3 ইঞ্চি |4 ইঞ্চি |6 ইঞ্চি |
| পুরুত্ব | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| পরিবাহিতা | N - প্রকার / আধা-অন্তরক | N - প্রকার / আধা-অন্তরক |
| ডোপান্ট | N2 ( নাইট্রোজেন ) V ( ভ্যানডিয়াম ) | N2 ( নাইট্রোজেন ) V ( ভ্যানডিয়াম ) |
| ওরিয়েন্টেশন | অক্ষে <0001> | অক্ষে <0001> |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.015 ~ 0.03 ওহম-সেমি | 0.02 ~ 0.1 ওহম-সেমি |
| মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| টিটিভি | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| নম/ওয়ার্প | ≤25 μm | ≤25 μm |
| পৃষ্ঠতল | ডিএসপি/এসএসপি | ডিএসপি/এসএসপি |
| শ্রেণী | উত্পাদন / গবেষণা গ্রেড | উত্পাদন / গবেষণা গ্রেড |
| ক্রিস্টাল স্ট্যাকিং সিকোয়েন্স | এবিসিবি | ABCABC |
| ল্যাটিস প্যারামিটার | a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| যেমন/eV(ব্যান্ড-গ্যাপ) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε (অস্তরক ধ্রুবক) | 9.6 | ৯.৬৬ |
| প্রতিসরণ সূচক | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
6H-SiC সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট স্পেসিফিকেশন
| আইটেম项目 | স্পেসিফিকেশন参数 |
| পলিটাইপ | 6H-SiC |
| ব্যাস | 4 ইঞ্চি |6 ইঞ্চি |
| পুরুত্ব | 350μm ~ 450μm |
| পরিবাহিতা | N - প্রকার / আধা-অন্তরক |
| ডোপান্ট | N2 ( নাইট্রোজেন ) |
| ওরিয়েন্টেশন | <0001> ছাড় 4°± 0.5° |
| প্রতিরোধ ক্ষমতা | 0.02 ~ 0.1 ওহম-সেমি |
| মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| টিটিভি | ≤ 15 μm |
| নম/ওয়ার্প | ≤25 μm |
| পৃষ্ঠতল | সি ফেস: সিএমপি, এপি-রেডি |
| শ্রেণী | গবেষণা গ্রেড |
