সিলিকন থার্মাল অক্সাইড ওয়েফার

টিপস: জারণ প্রকার

1. শুকনো জারণ

সিলিকন অক্সিজেনের সাথে বিক্রিয়া করে এবং অক্সাইড স্তর বেসাল স্তরের দিকে চলে যায়।850 থেকে 1200 ° C তাপমাত্রায় শুকনো জারণ করা দরকার এবং বৃদ্ধির হার কম, যা MOS নিরোধক গেট বৃদ্ধির জন্য ব্যবহার করা যেতে পারে।যখন একটি উচ্চ মানের, অতি-পাতলা সিলিকন অক্সাইড স্তরের প্রয়োজন হয়, তখন ভেজা অক্সিডেশনের চেয়ে শুষ্ক অক্সিডেশন পছন্দ করা হয়।

শুষ্ক অক্সিডেশন ক্ষমতা: 15nm~300nm(150A ~ 3000A)

2. ভেজা জারণ

এই পদ্ধতিতে হাইড্রোজেন এবং উচ্চ-বিশুদ্ধতা অক্সিজেনের মিশ্রণ ব্যবহার করা হয় ~1000 °C তাপমাত্রায় জ্বলতে, এইভাবে জলীয় বাষ্প তৈরি করে একটি অক্সাইড স্তর তৈরি করে।যদিও ভিজা জারণ শুষ্ক অক্সিডেশন হিসাবে উচ্চ মানের জারণ স্তর উত্পাদন করতে পারে না, কিন্তু একটি বিচ্ছিন্নতা অঞ্চল হিসাবে ব্যবহার করা যথেষ্ট, শুষ্ক অক্সিডেশন তুলনায় একটি স্পষ্ট সুবিধা আছে যে এটি একটি উচ্চ বৃদ্ধির হার আছে।

ভেজা অক্সিডেশন ক্ষমতা: 50nm~ 15µm (500A ~ 15µm)

3. শুকনো পদ্ধতি - ভেজা পদ্ধতি - শুকনো পদ্ধতি

এই পদ্ধতিতে, প্রাথমিক পর্যায়ে বিশুদ্ধ শুষ্ক অক্সিজেন জারণ চুল্লিতে ছেড়ে দেওয়া হয়, জারণের মাঝখানে হাইড্রোজেন যোগ করা হয়, এবং হাইড্রোজেন শেষ পর্যন্ত সংরক্ষণ করা হয় বিশুদ্ধ শুষ্ক অক্সিজেনের সাথে জারণ চালিয়ে যাওয়ার জন্য একটি ঘন জারণ কাঠামো তৈরি করার জন্য। জল বাষ্প আকারে সাধারণ ভিজা অক্সিডেশন প্রক্রিয়া.

4. TEOS জারণ