চীন ওয়েফার প্রস্তুতকারক, সরবরাহকারী, কারখানা

ওয়েফার উপর বিভিন্ন উপকরণ

সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলি প্রাথমিকভাবে একক-ক্রিস্টাল সিলিকন থেকে তৈরি করা হয় এর প্রাচুর্যতা, চমৎকার বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য এবং মান অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলির সাথে সামঞ্জস্যের কারণে। যাইহোক, নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশন এবং প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে, অন্যান্য উপকরণগুলিও ওয়েফার তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে। এখানে কিছু উদাহরণ আছে:

সিলিকন কার্বাইড (SiC) হল একটি প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা প্রথাগত উপকরণের তুলনায় উচ্চতর শারীরিক বৈশিষ্ট্য প্রদান করে। এটি দক্ষতার উন্নতির সাথে সাথে বিচ্ছিন্ন ডিভাইস, মডিউল এবং এমনকি সম্পূর্ণ সিস্টেমের আকার এবং ওজন কমাতে সাহায্য করে।

SiC এর মূল বৈশিষ্ট্য:

1. -ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ:SiC এর ব্যান্ডগ্যাপ সিলিকনের চেয়ে প্রায় তিনগুণ, এটি উচ্চ তাপমাত্রায়, 400°C পর্যন্ত কাজ করতে দেয়।
2. - উচ্চ সমালোচনামূলক ব্রেকডাউন ক্ষেত্র:SiC সিলিকনের বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের দশ গুণ পর্যন্ত প্রতিরোধ করতে পারে, এটি উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইসের জন্য আদর্শ করে তোলে।
3. - উচ্চ তাপ পরিবাহিতা:SiC দক্ষতার সাথে তাপ নষ্ট করে, ডিভাইসগুলিকে সর্বোত্তম অপারেটিং তাপমাত্রা বজায় রাখতে এবং তাদের জীবনকাল দীর্ঘায়িত করতে সহায়তা করে।
4. - উচ্চ স্যাচুরেশন ইলেকট্রন ড্রিফ্ট বেগ:সিলিকনের দ্বিগুণ প্রবাহ বেগের সাথে, SiC উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি সক্ষম করে, যা ডিভাইসের ক্ষুদ্রকরণে সহায়তা করে।

অ্যাপ্লিকেশন:

• - পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স:SiC পাওয়ার ডিভাইসগুলি উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-কারেন্ট, উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পরিবেশে উৎকৃষ্ট, উল্লেখযোগ্যভাবে শক্তি রূপান্তর দক্ষতা বৃদ্ধি করে। এগুলি বৈদ্যুতিক যানবাহন, চার্জিং স্টেশন, ফটোভোলটাইক সিস্টেম, রেল পরিবহন এবং স্মার্ট গ্রিডে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

• -মাইক্রোওয়েভ যোগাযোগ:SiC-ভিত্তিক GaN RF ডিভাইসগুলি বেতার যোগাযোগ পরিকাঠামোর জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, বিশেষ করে 5G বেস স্টেশনগুলির জন্য। এই ডিভাইসগুলি GaN-এর উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-শক্তি RF আউটপুটের সাথে SiC-এর চমৎকার তাপ পরিবাহিতাকে একত্রিত করে, যা পরবর্তী প্রজন্মের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি টেলিকম নেটওয়ার্কগুলির জন্য পছন্দের পছন্দ করে তোলে।

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)একটি বড় ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ইলেক্ট্রন স্যাচুরেশন ড্রিফ্ট বেগ এবং চমৎকার ব্রেকডাউন ফিল্ড বৈশিষ্ট্য সহ একটি তৃতীয় প্রজন্মের প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান। GaN ডিভাইসগুলির উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-গতি এবং উচ্চ-শক্তির এলাকায় যেমন LED শক্তি-সাশ্রয়ী আলো, লেজার প্রজেকশন ডিসপ্লে, বৈদ্যুতিক যান, স্মার্ট গ্রিড এবং 5G যোগাযোগের ক্ষেত্রে ব্যাপক প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে।

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs)একটি সেমিকন্ডাক্টর উপাদান যা এর উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা, উচ্চ শক্তি আউটপুট, কম শব্দ এবং ভাল রৈখিকতার জন্য পরিচিত। এটি ব্যাপকভাবে অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পে ব্যবহৃত হয়। অপটোইলেক্ট্রনিক্সে, GaAs সাবস্ট্রেটগুলি LED (আলো-নির্গত ডায়োড), LD (লেজার ডায়োড) এবং ফটোভোলটাইক ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্সে, তারা MESFETs (মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর), HEMTs (উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর), HBTs (হেটেরোজেকশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর), ICs (ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট), মাইক্রোওয়েভ ডায়োড এবং হল ইফেক্ট ডিভাইসের উৎপাদনে নিযুক্ত হয়।

ইন্ডিয়াম ফসফাইড (InP)এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ III-V যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর, যা এর উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা, চমৎকার বিকিরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপের জন্য পরিচিত। এটি অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।